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CPH6636R-TL-W

CPH6636R-TL-W

참조 용

부품 번호 CPH6636R-TL-W
PNEDA 부품 번호 CPH6636R-TL-W
설명 MOSFET 2N-CH 24V 6A CPH6
제조업체 ON Semiconductor
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CPH6636R-TL-W 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CPH6636R-TL-W
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
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CPH6636R-TL-W 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss)24V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs20mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs3nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대900mW
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지6-CPH

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

57A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1035pF @ 30V

전력-최대

62.5W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

공급자 장치 패키지

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BSD235N L6327

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

950mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

350mOhm @ 950mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 1.6µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.32nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

63pF @ 10V

전력-최대

500mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

PG-SOT363-6

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

TrenchPLUS

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

65V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.1A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

32.8mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1180pF @ 25V

전력-최대

3.57W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

20-SO

MCH6605-TL-EX

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

CAS300M17BM2

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제조업체

Cree/Wolfspeed

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FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

1700V (1.7kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

325A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10mOhm @ 225A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 15mA (Typ)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1076nC @ 20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

20000pF @ 1000V

전력-최대

1760W

작동 온도

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