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DF200R12KE3HOSA1

DF200R12KE3HOSA1

참조 용

부품 번호 DF200R12KE3HOSA1
PNEDA 부품 번호 DF200R12KE3HOSA1
설명 IGBT MODULE VCES 1200V 200A
제조업체 Infineon Technologies
단가
1 ---------- $1,279.2959
50 ---------- $1,219.3289
100 ---------- $1,159.3619
200 ---------- $1,099.3949
400 ---------- $1,049.4224
500 ---------- $999.4499
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DF200R12KE3HOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DF200R12KE3HOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
DF200R12KE3HOSA1, DF200R12KE3HOSA1 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 168.26 KB)
PDFDF200R12KE3HOSA1 데이터 시트 표지
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  • DF200R12KE3HOSA1 Distributor

DF200R12KE3HOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
구성Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)-
전력-최대1040W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대)5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce14nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 125°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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Infineon Technologies

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

900A

전력-최대

20mW

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 900A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

54nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

FF600R17KF6CB2NOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

-

NTC 서미스터

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

DDB6U100N16RRBOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

EconoBRIDGE™

IGBT 유형

-

구성

Single Chopper

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전력-최대

350W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 20V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.3nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

A2P75S12M3

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전력-최대

454.5W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

4700pF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

ACEPACK™ 2

BSM25GP120BOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Full Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

45A

전력-최대

230W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.55V @ 15V, 25A

전류-수집기 차단 (최대)

20A

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1.5nF @ 25V

입력

Three Phase Bridge Rectifier

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

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