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DMP1055UFDB-7

DMP1055UFDB-7

참조 용

부품 번호 DMP1055UFDB-7
PNEDA 부품 번호 DMP1055UFDB-7
설명 MOSFET 2PCH 12V 3.9A UDFN2020
제조업체 Diodes Incorporated
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재고 있음 7,200
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMP1055UFDB-7 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMP1055UFDB-7
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMP1055UFDB-7, DMP1055UFDB-7 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 273.34 KB)
PDFDMP1055UFDB-7 데이터 시트 표지
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  • DMP1055UFDB-7 Distributor

DMP1055UFDB-7 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈Automotive, AEC-Q101
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs59mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs20.8nC @ 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1028pF @ 6V
전력-최대1.36W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지U-DFN2020-6 (Type B)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

53mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

830mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

DMGD7N45SSD-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

450V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

500mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4Ohm @ 400mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.9nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

256pF @ 25V

전력-최대

1.64W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

SI7946ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

150V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.7A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

186mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.5nC @ 7.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

230pF @ 75V

전력-최대

19.8W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8 Dual

SI5519DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

36mOhm @ 6.1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.8V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17.5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

660pF @ 10V

전력-최대

10.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

5.7W

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