EM6M1T2R
참조 용
| 부품 번호 | EM6M1T2R |
| PNEDA 부품 번호 | EM6M1T2R |
| 설명 | MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6 |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 254,610 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 29 - 5월 4 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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EM6M1T2R 리소스
| 브랜드 | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | EM6M1T2R |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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EM6M1T2R 사양
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N and P-Channel |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V, 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 100mA, 200mA |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 8Ohm @ 10mA, 4V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | - |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 0.9nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 13pF @ 5V |
| 전력-최대 | 150mW |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-563, SOT-666 |
| 공급자 장치 패키지 | EMT6 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Central Semiconductor Corp 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 72mOhm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 7nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 590pF @ 10V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 8.5A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 65mOhm @ 8.5A, 10V, 70mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 12.3nC, 38nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 470pF, 2300pF @ 30V 전력-최대 3W (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지 8-HSOP |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 11A Rds On (최대) @ Id, Vgs 60mOhm @ 7.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 13nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 320pF @ 50V 전력-최대 14W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-5 Full Pack 공급자 장치 패키지 TO-220-5 Full-Pak |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 320mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 50pF @ 10V 전력-최대 420mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 6-TSSOP |
제조업체 EPC 시리즈 eGaN® FET 유형 2 N-Channel (Dual) Common Source FET 기능 GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss) 120V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs 60mOhm @ 4A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 700µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.8nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 80pF @ 60V 전력-최대 - 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 Die 공급자 장치 패키지 Die |
