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F3L100R07W2E3B11BOMA1

F3L100R07W2E3B11BOMA1

참조 용

부품 번호 F3L100R07W2E3B11BOMA1
PNEDA 부품 번호 F3L100R07W2E3B11BOMA1
설명 IGBT MODULE VCES 600V 200A
제조업체 Infineon Technologies
단가
1 ---------- $538.8653
50 ---------- $513.6060
100 ---------- $488.3467
200 ---------- $463.0874
400 ---------- $442.0379
500 ---------- $420.9885
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F3L100R07W2E3B11BOMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호F3L100R07W2E3B11BOMA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
F3L100R07W2E3B11BOMA1, F3L100R07W2E3B11BOMA1 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 819.6 KB)
PDFF3L100R07W2E3B11BOMA1 데이터 시트 표지
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F3L100R07W2E3B11BOMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
구성Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)117A
전력-최대300W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce6.2nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 150°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Single Chopper

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

225A

전력-최대

780W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 150A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

11nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

42A

전력-최대

312W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 21A

전류-수집기 차단 (최대)

50µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.5nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SOT-227-4, miniBLOC

공급자 장치 패키지

SOT-227B

APTCV50H60T3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT, Trench Field Stop

구성

Full Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전력-최대

176W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.15nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

FF75R12YT3BOMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

2 Independent

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전력-최대

345W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

5nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

APTGT200DU120G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Dual, Common Source

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

280A

전력-최대

890W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

350µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

14nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP6

공급자 장치 패키지

SP6

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