FDD3510H
참조 용
| 부품 번호 | FDD3510H |
| PNEDA 부품 번호 | FDD3510H |
| 설명 | MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,518 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 25 - 3월 30 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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FDD3510H 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | FDD3510H |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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FDD3510H 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | PowerTrench® |
| FET 유형 | N and P-Channel, Common Drain |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 80V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4.3A, 2.8A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 4.3A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 800pF @ 40V |
| 전력-최대 | 1.3W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD |
| 공급자 장치 패키지 | TO-252-4L |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1A Rds On (최대) @ Id, Vgs 190mOhm @ 1.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 2nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 87pF @ 20V 전력-최대 320mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 SOT-363 |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 750mA, 600mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 550mOhm @ 540mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 150pF @ 16V 전력-최대 500mW 작동 온도 -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지 X1-DFN1612-6 |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel Complementary FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.5A (Ta), 5A (Tc), 2A (Ta), 4A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 103mOhm @ 2.5A, 10V, 180mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 9.4nC @ 10V, 9nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 527pF @ 30V, 436pF @ 30V 전력-최대 1.4W (Ta), 5.7W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP |
제조업체 Advanced Linear Devices Inc. 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs 500Ohm @ 5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3pF @ 5V 전력-최대 500mW 작동 온도 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지 8-PDIP |
제조업체 Advanced Linear Devices Inc. 시리즈 EPAD®, Zero Threshold™ FET 유형 4 N-Channel, Matched Pair FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 80mA Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id 20mV @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 500mW 작동 온도 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 16-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지 16-PDIP |
