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FDME1023PZT

FDME1023PZT

참조 용

부품 번호 FDME1023PZT
PNEDA 부품 번호 FDME1023PZT
설명 MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6-MICROFET
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 36,402
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDME1023PZT 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDME1023PZT
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
FDME1023PZT, FDME1023PZT 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 338.04 KB)
PDFFDME1023PZT 데이터 시트 표지
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FDME1023PZT 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈PowerTrench®
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs142mOhm @ 2.3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs7.7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds405pF @ 10V
전력-최대600mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-UFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지6-MicroFET (1.6x1.6)

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FET 유형

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

25A (Ta), 62A (Tc), 50A (Ta), 85A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.3mOhm @ 20A, 10V, 0.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.9V @ 250µA, 1.8V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

24nC, 85nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1.15nF, 4.52nF @ 12.5V

전력-최대

3.1W (Ta), 20W (Tc), 3.2W (Ta), 69W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

공급자 장치 패키지

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시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

58mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

480pF @ 10V

전력-최대

10.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® ChipFET™ Dual

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PowerPAK® ChipFet Dual

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시리즈

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FET 유형

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

684mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

187nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5155pF @ 25V

전력-최대

390W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP4

공급자 장치 패키지

SP4

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Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

240mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.05V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14.1pF @ 15V

전력-최대

300mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-963

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SOT-963

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Infineon Technologies

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FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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