FDY3000NZ
참조 용
| 부품 번호 | FDY3000NZ |
| PNEDA 부품 번호 | FDY3000NZ |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 20V 0.6A SC89 |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 808,290 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 27 - 4월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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FDY3000NZ 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | FDY3000NZ |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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FDY3000NZ 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | PowerTrench® |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 600mA |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 700mOhm @ 600mA, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.3V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 1.1nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 60pF @ 10V |
| 전력-최대 | 446mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-563, SOT-666 |
| 공급자 장치 패키지 | SOT-563F |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs 45mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 13.7nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 722pF @ 25V 전력-최대 2.5W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP |
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A, 5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 31mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 8.3nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 404pF @ 20V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate, 2.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 19.8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1.6W 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지 6-EFCP (1.9x1.46) |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A, 5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 28mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 5.5nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 390pF @ 10V 전력-최대 1.5W 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지 TSMT8 |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 60mOhm @ 3.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 4.1nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 305pF @ 15V 전력-최대 840mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지 TSOT-26 |
