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FGA40T65UQDF

FGA40T65UQDF

참조 용

부품 번호 FGA40T65UQDF
PNEDA 부품 번호 FGA40T65UQDF
설명 IGBT 650V 80A 231W TO3PN
제조업체 ON Semiconductor
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재고 있음 5,616
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 6 - 3월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FGA40T65UQDF 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FGA40T65UQDF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
FGA40T65UQDF, FGA40T65UQDF 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 849.68 KB)
PDFFGA40T65UQDF 데이터 시트 표지
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FGA40T65UQDF 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)80A
전류-수집기 펄스 (Icm)120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.67V @ 15V, 40A
전력-최대231W
에너지 전환989µJ (on), 310µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지306nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C32ns/271ns
테스트 조건400V, 40A, 6Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)89ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지TO-3PN

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Infineon Technologies

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 50A

전력-최대

270W

에너지 전환

1.23mJ (on), 740µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

120nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/139ns

테스트 조건

400V, 50A, 8.2Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

PG-TO263-3

STGP19NC60SD

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 12A

전력-최대

130W

에너지 전환

135µJ (on), 815µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

54.5nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

17.5ns/175ns

테스트 조건

480V, 12A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

31ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220

NGTB40N120SWG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

전력-최대

535W

에너지 전환

3.4mJ (on), 1.1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

313nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

116ns/286ns

테스트 조건

600V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

240ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 20A

전력-최대

220W

에너지 전환

270µJ (on), 90µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

38nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

16ns/42ns

테스트 조건

300V, 20A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

60ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

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STMicroelectronics

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

전력-최대

200W

에너지 전환

305µJ (on), 181µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

102nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

29.5ns/118ns

테스트 조건

390V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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