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FGA6530WDF

FGA6530WDF

참조 용

부품 번호 FGA6530WDF
PNEDA 부품 번호 FGA6530WDF
설명 IGBT 650V 60A 176W TO3PN
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 4,050
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 6 - 3월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FGA6530WDF 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FGA6530WDF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
FGA6530WDF, FGA6530WDF 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 496.36 KB)
PDFFGA6530WDF 데이터 시트 표지
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FGA6530WDF 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)60A
전류-수집기 펄스 (Icm)90A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 30A
전력-최대176W
에너지 전환960µJ (on), 162µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지37.4nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C12ns/42.4ns
테스트 조건400V, 30A, 6Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)81ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지TO-3PN

관심을 가질만한 제품

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 25A

전력-최대

521W

에너지 전환

742µJ (on), 427µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

203nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

16ns/122ns

테스트 조건

600V, 25A, 4.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

D3Pak

SGP23N60UFTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

23A

전류-수집기 펄스 (Icm)

92A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 12A

전력-최대

100W

에너지 전환

115µJ (on), 135µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

17ns/60ns

테스트 조건

300V, 12A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

IKD03N60RF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop®

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전류-수집기 펄스 (Icm)

7.5A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 2.5A

전력-최대

53.6W

에너지 전환

90µJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

17.1nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

10ns/128ns

테스트 조건

400V, 2.5A, 68Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

31ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

PG-TO252-3

FGA6065ADF

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

120A

전류-수집기 펄스 (Icm)

180A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 60A

전력-최대

306W

에너지 전환

2.46mJ (on), 520µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

84nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25.6ns/71ns

테스트 조건

400V, 60A, 6Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

110ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3PN

IXBF9N160G

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

7A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

7V @ 15V, 5A

전력-최대

70W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

34nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

960V, 5A, 27Ohm, 10V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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