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FGA6530WDF

FGA6530WDF

참조 용

부품 번호 FGA6530WDF
PNEDA 부품 번호 FGA6530WDF
설명 IGBT 650V 60A 176W TO3PN
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 4,050
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 26 - 5월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FGA6530WDF 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FGA6530WDF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
FGA6530WDF, FGA6530WDF 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 496.36 KB)
PDFFGA6530WDF 데이터 시트 표지
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FGA6530WDF 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)60A
전류-수집기 펄스 (Icm)90A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 30A
전력-최대176W
에너지 전환960µJ (on), 162µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지37.4nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C12ns/42.4ns
테스트 조건400V, 30A, 6Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)81ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지TO-3PN

관심을 가질만한 제품

IRGB30B60KPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

78A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 30A

전력-최대

370W

에너지 전환

350µJ (on), 825µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

102nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

46ns/185ns

테스트 조건

400V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

STGW80V60DF

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

120A

전류-수집기 펄스 (Icm)

240A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 80A

전력-최대

469W

에너지 전환

1.8mJ (on), 1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

448nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

60ns/220ns

테스트 조건

400V, 80A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

60ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3 Exposed Pad

공급자 장치 패키지

TO-247

IRG4PC40FD

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

49A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 27A

전력-최대

160W

에너지 전환

950µJ (on), 2.01mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

100nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

63ns/230ns

테스트 조건

480V, 27A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

42ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

STGF4M65DF2

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

M

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

8A

전류-수집기 펄스 (Icm)

16A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 4A

전력-최대

23W

에너지 전환

40µJ (on), 136µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

15.2nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

12ns/86ns

테스트 조건

400V, 4A, 47Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

133ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220FP

IKD03N60RF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop®

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전류-수집기 펄스 (Icm)

7.5A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 2.5A

전력-최대

53.6W

에너지 전환

90µJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

17.1nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

10ns/128ns

테스트 조건

400V, 2.5A, 68Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

31ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

PG-TO252-3

최근 판매

595D336X0035R2T

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744770122

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1N5254B

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CY14B256KA-SP25XI

CY14B256KA-SP25XI

Cypress Semiconductor

IC NVSRAM 256K PARALLEL 48SSOP

NC7SZ08P5X

NC7SZ08P5X

ON Semiconductor

IC GATE AND 1CH 2-INP SC70-5

IRFP150N

IRFP150N

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 100V 42A TO-247AC