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FGH20N6S2D

FGH20N6S2D

참조 용

부품 번호 FGH20N6S2D
PNEDA 부품 번호 FGH20N6S2D
설명 IGBT 600V 28A 125W TO247
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,780
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 4 - 4월 9 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FGH20N6S2D 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FGH20N6S2D
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
FGH20N6S2D, FGH20N6S2D 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 226.34 KB)
PDFFGH20N6S2D 데이터 시트 표지
FGH20N6S2D 데이터 시트 페이지 2 FGH20N6S2D 데이터 시트 페이지 3 FGH20N6S2D 데이터 시트 페이지 4 FGH20N6S2D 데이터 시트 페이지 5 FGH20N6S2D 데이터 시트 페이지 6 FGH20N6S2D 데이터 시트 페이지 7 FGH20N6S2D 데이터 시트 페이지 8 FGH20N6S2D 데이터 시트 페이지 9

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FGH20N6S2D 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)28A
전류-수집기 펄스 (Icm)40A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 7A
전력-최대125W
에너지 전환25µJ (on), 58µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지30nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C7.7ns/87ns
테스트 조건390V, 7A, 25Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)31ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247-3

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ON Semiconductor

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 50A

전력-최대

340W

에너지 전환

2.7mJ (on), 740µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

230nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

32ns/160ns

테스트 조건

400V, 50A, 6Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

53ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

IXYH8N250C

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

XPT™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

2500V

전류-수집기 (Ic) (최대)

29A

전류-수집기 펄스 (Icm)

70A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 8A

전력-최대

280W

에너지 전환

2.6mJ (on), 1.07mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

45nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

11ns/180ns

테스트 조건

1250V, 8A, 15Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

5ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD

IRG7PH42UD1-EP

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

85A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

전력-최대

313W

에너지 전환

1.21mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

180nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/270ns

테스트 조건

600V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD

FGA30N65SMD

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

90A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 30A

전력-최대

300W

에너지 전환

716µJ (on), 208µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

87nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

14ns/102ns

테스트 조건

400V, 30A, 6Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

35ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3PN

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

42A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 24A

전력-최대

80W

에너지 전환

240µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

55nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/75ns

테스트 조건

480V, 24A, 18Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

25ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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