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FGP30N6S2

FGP30N6S2

참조 용

부품 번호 FGP30N6S2
PNEDA 부품 번호 FGP30N6S2
설명 IGBT 600V 45A 167W TO220AB
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,514
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 4 - 4월 9 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FGP30N6S2 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FGP30N6S2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
FGP30N6S2, FGP30N6S2 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 173.7 KB)
PDFFGB30N6S2 데이터 시트 표지
FGB30N6S2 데이터 시트 페이지 2 FGB30N6S2 데이터 시트 페이지 3 FGB30N6S2 데이터 시트 페이지 4 FGB30N6S2 데이터 시트 페이지 5 FGB30N6S2 데이터 시트 페이지 6 FGB30N6S2 데이터 시트 페이지 7 FGB30N6S2 데이터 시트 페이지 8

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FGP30N6S2 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)45A
전류-수집기 펄스 (Icm)108A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 12A
전력-최대167W
에너지 전환55µJ (on), 100µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지23nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C6ns/40ns
테스트 조건390V, 12A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3
공급자 장치 패키지TO-220-3

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STMicroelectronics

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

15A

전류-수집기 펄스 (Icm)

21A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 3A

전력-최대

56W

에너지 전환

20µJ (on), 68µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

13.6nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

12ns/76ns

테스트 조건

390V, 3A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

21ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

STGP15H60DF

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 15A

전력-최대

115W

에너지 전환

136µJ (on), 207µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

81nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

24.5ns/118ns

테스트 조건

400V, 15A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

103ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220

FGY100T65SCDT

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

200A

전류-수집기 펄스 (Icm)

300A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 100A

전력-최대

750W

에너지 전환

5.4mJ (on), 3.8mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

157nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

84ns/216ns

테스트 조건

400V, 100A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

62ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

NGTB05N60R2DT4G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16A

전류-수집기 펄스 (Icm)

20A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 5A

전력-최대

56W

에너지 전환

188µJ (on), 60µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

30nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

44ns/82ns

테스트 조건

300V, 5A, 30Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

70ns

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

DPAK

IXGL75N250

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

2500V

전류-수집기 (Ic) (최대)

110A

전류-수집기 펄스 (Icm)

580A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 75A

전력-최대

430W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

410nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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