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STGB6NC60HDT4

STGB6NC60HDT4

참조 용

부품 번호 STGB6NC60HDT4
PNEDA 부품 번호 STGB6NC60HDT4
설명 IGBT 600V 15A 56W D2PAK
제조업체 STMicroelectronics
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STGB6NC60HDT4 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STGB6NC60HDT4
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
STGB6NC60HDT4, STGB6NC60HDT4 데이터 시트 (총 페이지: 24, 크기: 916.11 KB)
PDFSTGP6NC60H 데이터 시트 표지
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  • STGB6NC60HDT4 Distributor

STGB6NC60HDT4 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈PowerMESH™
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)15A
전류-수집기 펄스 (Icm)21A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 3A
전력-최대56W
에너지 전환20µJ (on), 68µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지13.6nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C12ns/76ns
테스트 조건390V, 3A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)21ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지D2PAK

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

9A

전류-수집기 펄스 (Icm)

24A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 6A

전력-최대

32W

에너지 전환

215µJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

32nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/220ns

테스트 조건

400V, 6A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

200ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3

AOT10B65M1

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

Alpha IGBT™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

30A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 10A

전력-최대

150W

에너지 전환

180µJ (on), 130µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

24nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

12ns/91ns

테스트 조건

400V, 10A, 30Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

262ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

330V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

220A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 70A

전력-최대

149W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

49nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

23ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

NGTB25N120FL2WG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전류-수집기 펄스 (Icm)

100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 25A

전력-최대

385W

에너지 전환

1.95mJ (on), 600µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

178nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

87ns/179ns

테스트 조건

600V, 25A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

154ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

283A

전류-수집기 펄스 (Icm)

600A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 200A

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에너지 전환

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게이트 차지

1180nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/560ns

테스트 조건

400V, 200A, 1Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

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