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FMM75-01F

FMM75-01F

참조 용

부품 번호 FMM75-01F
PNEDA 부품 번호 FMM75-01F
설명 MOSFET 2N-CH 100V 75A I4-PAC-5
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 6 - 4월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FMM75-01F 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FMM75-01F
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
FMM75-01F, FMM75-01F 데이터 시트 (총 페이지: 2, 크기: 61.61 KB)
PDFFMM75-01F 데이터 시트 표지
FMM75-01F 데이터 시트 페이지 2

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FMM75-01F 사양

제조업체IXYS
시리즈HiPerFET™
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)75A
Rds On (최대) @ Id, Vgs25mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs180nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스i4-Pac™-5
공급자 장치 패키지ISOPLUS i4-PAC™

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1110pF @ 15V

전력-최대

27W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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PowerPAK® SO-8 Dual

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ON Semiconductor

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FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10.1A, 12.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 10.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

608pF @ 15V

전력-최대

1W

작동 온도

-

장착 유형

Sub-Base Mount

패키지 / 케이스

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Diodes Incorporated

시리즈

*

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.6mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.35V @ 25µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1380pF @ 15V

전력-최대

2.7W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DirectFET™ Isometric MA

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DIRECTFET™ MA

SI3900DV-T1-E3

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FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

125mOhm @ 2.4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

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