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FW389-TL-2WX

FW389-TL-2WX

참조 용

부품 번호 FW389-TL-2WX
PNEDA 부품 번호 FW389-TL-2WX
설명 MOSFET N-CH 100V 8SOIC
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FW389-TL-2WX 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FW389-TL-2WX
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
FW389-TL-2WX, FW389-TL-2WX 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 1,196.4 KB)
PDFFW389-TL-2WX 데이터 시트 표지
FW389-TL-2WX 데이터 시트 페이지 2 FW389-TL-2WX 데이터 시트 페이지 3 FW389-TL-2WX 데이터 시트 페이지 4 FW389-TL-2WX 데이터 시트 페이지 5 FW389-TL-2WX 데이터 시트 페이지 6 FW389-TL-2WX 데이터 시트 페이지 7 FW389-TL-2WX 데이터 시트 페이지 8

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FW389-TL-2WX 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈*
FET 유형-
FET 기능-
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.8mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

68nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5245pF @ 30V

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

24mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

19.1nC @ 20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1060pF @ 20V

전력-최대

1.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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FET 유형

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A, 46A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 5.85mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.3nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1092pF @ 10V

전력-최대

1.7W, 2.5W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Vishay Siliconix

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FET 유형

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

1.6V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

34A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11.71mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1100pF @ 20V

전력-최대

23W

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