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GP10KE-M3/73

GP10KE-M3/73

참조 용

부품 번호 GP10KE-M3/73
PNEDA 부품 번호 GP10KE-M3-73
설명 DIODE GEN PURPOSE DO204AL
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 3,906
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

GP10KE-M3/73 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호GP10KE-M3/73
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
GP10KE-M3/73, GP10KE-M3/73 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 71.85 KB)
PDFGP10YE-M3/54 데이터 시트 표지
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  • GP10KE-M3/73 Distributor

GP10KE-M3/73 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈*
다이오드 유형-
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)-
전류-평균 정류 (Io)-
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
속도-
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr-
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-
작동 온도-접합-

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Powerex Inc.

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

800A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.8V @ 1500A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

10µs

전류-역방향 누설 @ Vr

50mA @ 800V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

DO-200AA, A-PUK

공급자 장치 패키지

DO-200AA, R62

작동 온도-접합

-

VS-SD303C25S20C

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

2500V

전류-평균 정류 (Io)

350A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.26V @ 1100A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

2µs

전류-역방향 누설 @ Vr

35mA @ 2500V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Clamp On

패키지 / 케이스

DO-200AA, A-PUK

공급자 장치 패키지

DO-200AA, A-PUK

작동 온도-접합

-

SS22LHMTG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

20V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

500mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

400µA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

GPP10G-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

CRS11(TE85L)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

360mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1.5mA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123F

공급자 장치 패키지

S-FLAT (1.6x3.5)

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