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HGT1S12N60A4S9A

HGT1S12N60A4S9A

참조 용

부품 번호 HGT1S12N60A4S9A
PNEDA 부품 번호 HGT1S12N60A4S9A
설명 IGBT 600V 54A 167W TO263AB
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 29 - 4월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

HGT1S12N60A4S9A 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호HGT1S12N60A4S9A
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
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HGT1S12N60A4S9A 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)54A
전류-수집기 펄스 (Icm)96A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 12A
전력-최대167W
에너지 전환55µJ (on), 50µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지78nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C17ns/96ns
테스트 조건390V, 12A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지TO-263AB

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

2500V

전류-수집기 (Ic) (최대)

95A

전류-수집기 펄스 (Icm)

235A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 25A

전력-최대

937W

에너지 전환

8.3mJ (on), 7.3mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

147nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/230ns

테스트 조건

1250V, 25A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

34ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

TO-268HV (IXYT)

FGP20N60UFDTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 20A

전력-최대

165W

에너지 전환

380µJ (on), 260µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

63nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

13ns/87ns

테스트 조건

400V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

35ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

RGTH50TK65DGC11

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

26A

전류-수집기 펄스 (Icm)

100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

전력-최대

59W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

49nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

27ns/94ns

테스트 조건

400V, 25A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

58ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3PFM, SC-93-3

공급자 장치 패키지

TO-3PFM

IRGP6630D-EPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

47A

전류-수집기 펄스 (Icm)

54A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 18A

전력-최대

192W

에너지 전환

75µJ (on), 350µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

30nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

40ns/95ns

테스트 조건

400V, 18A, 22Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

70ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD

ISL9V3040D3S

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

430V

전류-수집기 (Ic) (최대)

21A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.6V @ 4V, 6A

전력-최대

150W

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

17nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/4.8µs

테스트 조건

300V, 1kOhm, 5V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

TO-252AA

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