HGTD3N60C3S9A
참조 용
부품 번호 | HGTD3N60C3S9A |
PNEDA 부품 번호 | HGTD3N60C3S9A |
설명 | IGBT 600V 6A 33W TO252AA |
제조업체 | ON Semiconductor |
단가 | 견적 요청 |
재고 있음 | 5,292 |
창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
예상 배송 | 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택) |
Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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HGTD3N60C3S9A 리소스
브랜드 | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. 부품 번호 | HGTD3N60C3S9A |
분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-IGBT-단일 |
데이터 시트 |
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HGTD3N60C3S9A 사양
제조업체 | ON Semiconductor |
시리즈 | - |
IGBT 유형 | - |
전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 600V |
전류-수집기 (Ic) (최대) | 6A |
전류-수집기 펄스 (Icm) | 24A |
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 3A |
전력-최대 | 33W |
에너지 전환 | 85µJ (on), 245µJ (off) |
입력 유형 | Standard |
게이트 차지 | 10.8nC |
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C | - |
테스트 조건 | 480V, 3A, 82Ohm, 15V |
역 복구 시간 (trr) | - |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
장착 유형 | Surface Mount |
패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
공급자 장치 패키지 | TO-252AA |
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