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IKP39N65ES5XKSA1

IKP39N65ES5XKSA1

참조 용

부품 번호 IKP39N65ES5XKSA1
PNEDA 부품 번호 IKP39N65ES5XKSA1
설명 IGBT 650V 39A TO220-3
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 16,056
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 25 - 4월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IKP39N65ES5XKSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IKP39N65ES5XKSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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  • IKP39N65ES5XKSA1 Distributor

IKP39N65ES5XKSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈TrenchStop™ 5
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)62A
전류-수집기 펄스 (Icm)120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.85V @ 15V, 39A
전력-최대188W
에너지 전환800µJ (on), 500µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지70nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C20ns/120ns
테스트 조건400V, 39A, 12.8Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)84ns
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3
공급자 장치 패키지PG-TO220-3

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

8.5A

전류-수집기 펄스 (Icm)

34A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 5A

전력-최대

38W

에너지 전환

80µJ (on), 160µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

15nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

19ns/116ns

테스트 조건

480V, 5A, 100Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

D-Pak

NGTB30N65IHL2WG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 30A

전력-최대

300W

에너지 전환

200µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

135nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/145ns

테스트 조건

400V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

430ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

IRGS6B60KPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

13A

전류-수집기 펄스 (Icm)

26A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 5A

전력-최대

90W

에너지 전환

110µJ (on), 135µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

18.2nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/215ns

테스트 조건

400V, 5A, 100Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

NGB8204NT4

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

430V

전류-수집기 (Ic) (최대)

18A

전류-수집기 펄스 (Icm)

50A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 4V, 15A

전력-최대

115W

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 20A

전력-최대

190W

에너지 전환

2.1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

62nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/270ns

테스트 조건

960V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

40ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

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