IR2308PBF
참조 용
| 부품 번호 | IR2308PBF |
| PNEDA 부품 번호 | IR2308PBF |
| 설명 | IC MOSFET/IGBT DVR HV HS 8-DIP |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,016 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 28 - 4월 2 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IR2308PBF 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IR2308PBF |
| 분류 | 반도체 › 전력 관리 IC › PMIC-게이트 드라이버 |
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IR2308PBF 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | - |
| 구동 구성 | Half-Bridge |
| 채널 유형 | Independent |
| 드라이버 수 | 2 |
| 게이트 유형 | IGBT, N-Channel MOSFET |
| 전압-공급 | 10V ~ 20V |
| 논리 전압-VIL, VIH | 0.8V, 2.9V |
| 전류-피크 출력 (소스, 싱크) | 200mA, 350mA |
| 입력 유형 | Non-Inverting |
| 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) | 600V |
| 상승 / 하강 시간 (일반) | 150ns, 50ns |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| 공급자 장치 패키지 | 8-PDIP |
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제조업체 시리즈 - 구동 구성 Half-Bridge 채널 유형 Independent 드라이버 수 2 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 4.5V ~ 5.5V 논리 전압-VIL, VIH 1.76V, 1.89V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 1.2A, 5A 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 107V 상승 / 하강 시간 (일반) 7ns, 1.5ns 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 10-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 10-WSON (4x4) |
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제조업체 시리즈 - 구동 구성 Low-Side 채널 유형 Independent 드라이버 수 2 게이트 유형 IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH 1V, 2.3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 5A, 5A 입력 유형 Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) - 상승 / 하강 시간 (일반) 7ns, 6ns 작동 온도 -40°C ~ 140°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 8-SON (3x3) |
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