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IRFR3707TRL

IRFR3707TRL

참조 용

부품 번호 IRFR3707TRL
PNEDA 부품 번호 IRFR3707TRL
설명 MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
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IRFR3707TRL 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRFR3707TRL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IRFR3707TRL, IRFR3707TRL 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 139.11 KB)
PDFIRFR3707TRR 데이터 시트 표지
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IRFR3707TRL 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈HEXFET®
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)61A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs13mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs19nC @ 4.5V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1990pF @ 15V
FET 기능-
전력 손실 (최대)87W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지D-Pak
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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제조업체

Global Power Technologies Group

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

700mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

28nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1546pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

158W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220

패키지 / 케이스

TO-220-3

FDD5690

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

27mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

32nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1110pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.2W (Ta), 50W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-252

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRFS41N15DTRR

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

150V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

41A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2520pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.1W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

APTC90SKM60CT1G

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

900V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

59A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

60mOhm @ 52A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 6mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

540nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

13600pF @ 100V

FET 기능

Super Junction

전력 손실 (최대)

462W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

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드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5.5V @ 50µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.6nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

440pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

70W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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