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IRG4IBC30FD

IRG4IBC30FD

참조 용

부품 번호 IRG4IBC30FD
PNEDA 부품 번호 IRG4IBC30FD
설명 IGBT 600V 20.3A 45W TO220FP
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRG4IBC30FD 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRG4IBC30FD
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IRG4IBC30FD, IRG4IBC30FD 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 229.28 KB)
PDFIRG4IBC30FD 데이터 시트 표지
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  • IRG4IBC30FD Distributor

IRG4IBC30FD 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)20.3A
전류-수집기 펄스 (Icm)120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 17A
전력-최대45W
에너지 전환630µJ (on), 1.39mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지51nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C42ns/230ns
테스트 조건480V, 17A, 23Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)42ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지TO-220AB Full-Pak

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

28A

전류-수집기 펄스 (Icm)

40A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 7A

전력-최대

125W

에너지 전환

25µJ (on), 58µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

30nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

7.7ns/87ns

테스트 조건

390V, 7A, 25Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

31ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263AB

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

32A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 15A

전력-최대

125W

에너지 전환

1.55mJ (on), 1.7mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

48nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

600V, 15A, 56Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

9-SMD Module

공급자 장치 패키지

ISOPLUS-SMPD™.B

IRGIB4615DPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

15A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전력-최대

-

에너지 전환

145µJ (on), 70µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220FP

RGT50NS65DGTL

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

48A

전류-수집기 펄스 (Icm)

75A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

전력-최대

194W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

49nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

27ns/88ns

테스트 조건

400V, 25A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

58ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

LPDS

STGD20N45LZAG

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

450V

전류-수집기 (Ic) (최대)

25A

전류-수집기 펄스 (Icm)

50A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.25V @ 4V, 6A

전력-최대

125W

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

26nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

1.1µs/4.6µs

테스트 조건

300V, 10A, 1kOhm, 5V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

DPAK

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