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IRLIZ24NPBF

IRLIZ24NPBF

참조 용

부품 번호 IRLIZ24NPBF
PNEDA 부품 번호 IRLIZ24NPBF
설명 MOSFET N-CH 55V 14A TO220FP
제조업체 Infineon Technologies
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IRLIZ24NPBF 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRLIZ24NPBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IRLIZ24NPBF, IRLIZ24NPBF 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 842.79 KB)
PDFIRLIZ24NPBF 데이터 시트 표지
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IRLIZ24NPBF 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈HEXFET®
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)14A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs60mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs15nC @ 5V
Vgs (최대)±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds480pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)26W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-220AB Full-Pak
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack

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FET 유형

N-Channel

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드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

26A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

200mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

160nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4200pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

250W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

ISOPLUS247™

패키지 / 케이스

ISOPLUS247™

FB180SA10

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

180A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 108A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

380nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10700pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

480W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

공급자 장치 패키지

SOT-227

패키지 / 케이스

SOT-227-4, miniBLOC

PMN40UPEAX

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

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FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.7A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

43mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

950mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

23nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1820pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

500mW (Ta), 8.33W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

6-TSOP

패키지 / 케이스

SC-74, SOT-457

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

75A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

87nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4352pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

200W (Tc)

작동 온도

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

260A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.3mOhm @ 22.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

61.5nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6375pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

166W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

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