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IXGA12N120A2

IXGA12N120A2

참조 용

부품 번호 IXGA12N120A2
PNEDA 부품 번호 IXGA12N120A2
설명 IGBT 1200V 24A 75W TO263
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 2,718
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXGA12N120A2 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXGA12N120A2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXGA12N120A2, IXGA12N120A2 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 578.94 KB)
PDFIXGP12N120A2 데이터 시트 표지
IXGP12N120A2 데이터 시트 페이지 2 IXGP12N120A2 데이터 시트 페이지 3 IXGP12N120A2 데이터 시트 페이지 4 IXGP12N120A2 데이터 시트 페이지 5

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IXGA12N120A2 사양

제조업체IXYS
시리즈-
IGBT 유형PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)24A
전류-수집기 펄스 (Icm)48A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3V @ 15V, 12A
전력-최대75W
에너지 전환5.4mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지24nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C15ns/680ns
테스트 조건960V, 12A, 100Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지TO-263 (IXGA)

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

22A

전류-수집기 펄스 (Icm)

44A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 12A

전력-최대

66W

에너지 전환

190µJ (on), 920µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

27nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

26ns/194ns

테스트 조건

480V, 12A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

D-Pak

HGTG12N60B3

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

27A

전류-수집기 펄스 (Icm)

110A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 12A

전력-최대

104W

에너지 전환

150µJ (on), 250µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

51nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

26ns/150ns

테스트 조건

480V, 12A, 25Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

IRGP6630D-EPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

47A

전류-수집기 펄스 (Icm)

54A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 18A

전력-최대

192W

에너지 전환

75µJ (on), 350µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

30nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

40ns/95ns

테스트 조건

400V, 18A, 22Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

70ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD

RGW60TK65DGVC11

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

33A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

전력-최대

72W

에너지 전환

480µJ (on), 490µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

84nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

37ns/114ns

테스트 조건

400V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

92ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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IXYS

제조업체

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-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

3000V

전류-수집기 (Ic) (최대)

34A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 20A

전력-최대

150W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

105nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

1.35µs

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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