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IXYH50N120C3D1

IXYH50N120C3D1

참조 용

부품 번호 IXYH50N120C3D1
PNEDA 부품 번호 IXYH50N120C3D1
설명 IGBT 1200V 90A 625W TO247
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 84,924
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXYH50N120C3D1 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXYH50N120C3D1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXYH50N120C3D1, IXYH50N120C3D1 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 172.22 KB)
PDFIXYH50N120C3D1 데이터 시트 표지
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  • IXYH50N120C3D1 Distributor

IXYH50N120C3D1 사양

제조업체IXYS
시리즈GenX3™, XPT™
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)90A
전류-수집기 펄스 (Icm)210A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic4V @ 15V, 50A
전력-최대625W
에너지 전환3mJ (on), 1mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지142nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C28ns/133ns
테스트 조건600V, 50A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)195ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247 (IXYH)

관심을 가질만한 제품

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

390V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

50A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 4.5V, 20A

전력-최대

150W

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/5µs

테스트 조건

300V, 9A, 1kOhm, 5V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

FGL60N100BNTDTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

NPT and Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1000V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 60A

전력-최대

180W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

275nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

140ns/630ns

테스트 조건

600V, 60A, 51Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

1.2µs

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

TO-264-3

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 24A

전력-최대

190W

에너지 전환

320µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

66nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

13ns/110ns

테스트 조건

400V, 24A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

25ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

TO-268

STGB3NB60KDT4

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전류-수집기 펄스 (Icm)

24A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 3A

전력-최대

50W

에너지 전환

30µJ (on), 58µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

14nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

14ns/33ns

테스트 조건

480V, 3A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

45ns

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

GT60N321(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1000V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 60A

전력-최대

170W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

330ns/700ns

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

2.5µs

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3PL

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