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IXZR18N50B-00

IXZR18N50B-00

참조 용

부품 번호 IXZR18N50B-00
PNEDA 부품 번호 IXZR18N50B-00
설명 RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3
제조업체 IXYS-RF
단가 견적 요청
재고 있음 6,336
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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IXZR18N50B-00 리소스

브랜드 IXYS-RF
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXZR18N50B-00
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
IXZR18N50B-00, IXZR18N50B-00 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 160.78 KB)
PDFIXZR18N50 데이터 시트 표지
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IXZR18N50B-00 사양

제조업체IXYS-RF
시리즈Z-MOS™
트랜지스터 유형N-Channel
주파수65MHz
이득23dB
전압-테스트100V
전류 정격 (Amps)19A
소음 수치-
현재-테스트-
전원-출력350W
전압-정격500V
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지PLUS247™-3

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소음 수치

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전원-출력

150W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads

공급자 장치 패키지

PG-63248-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

3.4GHz ~ 3.6GHz

이득

15dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

160mA

전원-출력

2W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-400-240

공급자 장치 패키지

NI-400-240

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.51GHz

이득

19.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

600mA

전원-출력

23W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-957A

공급자 장치 패키지

NI-780H-2L

BLF3G21-6,112

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2GHz

이득

15.5dB

전압-테스트

26V

전류 정격 (Amps)

2.3A

소음 수치

-

현재-테스트

90mA

전원-출력

6W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-538A

공급자 장치 패키지

2-CSMD

STAC1011-350

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.03GHz ~ 1.09GHz

이득

15dB

전압-테스트

36V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

350W

전압-정격

80V

패키지 / 케이스

STAC265B

공급자 장치 패키지

STAC265B

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