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MCCD2005-TP

MCCD2005-TP

참조 용

부품 번호 MCCD2005-TP
PNEDA 부품 번호 MCCD2005-TP
설명 MOSFET 2N-CH 20V 8A
제조업체 Micro Commercial Co
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MCCD2005-TP 리소스

브랜드 Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MCCD2005-TP
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
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MCCD2005-TP 사양

제조업체Micro Commercial Co
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs13mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs17.9nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1800pF @ 10V
전력-최대-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-WFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지DFN2030-6

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9A, 6.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

24mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1000pF @ 20V

전력-최대

1.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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제조업체

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시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel Complementary

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

900mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

300mOhm @ 900mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.9nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

120pF @ 10V

전력-최대

300mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-70-6 (SOT-363)

FDMD8530

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

35A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.25mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

149nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10395pF @ 15V

전력-최대

2.2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN

공급자 장치 패키지

Power56

LKK47-06C5

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

CoolMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Super Junction

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

47A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 44A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 3mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

190nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6800pF @ 100V

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

ISOPLUS264™

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.2A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11.3nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1415pF @ 15V

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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