MCH6606-TL-E
참조 용
| 부품 번호 | MCH6606-TL-E |
| PNEDA 부품 번호 | MCH6606-TL-E |
| 설명 | MOSFET PCH DUAL MCPH6 |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,444 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MCH6606-TL-E 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MCH6606-TL-E |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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MCH6606-TL-E 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | * |
| FET 유형 | - |
| FET 기능 | - |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | - |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | - |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (최대) @ Id | - |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| 전력-최대 | - |
| 작동 온도 | - |
| 장착 유형 | - |
| 패키지 / 케이스 | - |
| 공급자 장치 패키지 | - |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 49A Rds On (최대) @ Id, Vgs 45mOhm @ 24.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.9V @ 3mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 150nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7200pF @ 25V 전력-최대 250W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP1 공급자 장치 패키지 SP1 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 400pF @ 15V 전력-최대 960mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지 6-TSOP |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 4 N-Channel (Three Level Inverter) FET 기능 Silicon Carbide (SiC) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 28A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 98mOhm @ 20A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 49nC @ 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 950pF @ 1000V 전력-최대 125W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP3 공급자 장치 패키지 SP3 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 15A Rds On (최대) @ Id, Vgs 290mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.9V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 90nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2254pF @ 25V 전력-최대 156W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP1 공급자 장치 패키지 SP1 |
