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MRF5S21130HSR5

MRF5S21130HSR5

참조 용

부품 번호 MRF5S21130HSR5
PNEDA 부품 번호 MRF5S21130HSR5
설명 FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 3,114
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 2 - 3월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF5S21130HSR5 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF5S21130HSR5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF5S21130HSR5, MRF5S21130HSR5 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 699.08 KB)
PDFMRF5S21130HSR5 데이터 시트 표지
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MRF5S21130HSR5 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.11GHz ~ 2.17GHz
이득13.5dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.2A
전원-출력28W
전압-정격65V
패키지 / 케이스NI-880S
공급자 장치 패키지NI-880S

관심을 가질만한 제품

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

2.17GHz

이득

18.3dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

700mA

전원-출력

24W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-957A

공급자 장치 패키지

NI-780H-2L

PD55003S

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

500MHz

이득

17dB

전압-테스트

12.5V

전류 정격 (Amps)

2.5A

소음 수치

-

현재-테스트

50mA

전원-출력

3W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

공급자 장치 패키지

10-PowerSO

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

957.5MHz

이득

36.1dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

15mA

전원-출력

1.5W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1212-3

공급자 장치 패키지

16-HSOP

VMMK-1218-TR1G

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

트랜지스터 유형

E-pHEMT

주파수

10GHz

이득

9dB

전압-테스트

3V

전류 정격 (Amps)

100mA

소음 수치

0.81dB

현재-테스트

20mA

전원-출력

12dBm

전압-정격

5V

패키지 / 케이스

0402 (1005 Metric)

공급자 장치 패키지

0402

BLP8G10S-270PWY

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

718.5MHz ~ 765.5MHz

이득

20dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

2A

전원-출력

56W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1221-2

공급자 장치 패키지

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