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MRF6S19120HSR3

MRF6S19120HSR3

참조 용

부품 번호 MRF6S19120HSR3
PNEDA 부품 번호 MRF6S19120HSR3
설명 FET RF 68V 1.99GHZ NI-780S
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 7,200
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 15 - 6월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF6S19120HSR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF6S19120HSR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF6S19120HSR3, MRF6S19120HSR3 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 797.17 KB)
PDFMRF6S19120HSR5 데이터 시트 표지
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MRF6S19120HSR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.99GHz
이득15dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1A
전원-출력19W
전압-정격68V
패키지 / 케이스NI-780S
공급자 장치 패키지NI-780S

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NXP USA Inc.

시리즈

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LDMOS

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전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

300W

전압-정격

110V

패키지 / 케이스

TO-272BB

공급자 장치 패키지

TO-272 WB-4

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.03GHz

이득

19.7dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

500W

전압-정격

110V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

945MHz

이득

18.8dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

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350mA

전원-출력

45W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-360S

공급자 장치 패키지

NI-360S

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

2.17GHz

이득

15.6dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

600mA

전원-출력

72W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-1230-4LS2L

공급자 장치 패키지

NI-1230-4LS2L

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel Dual Gate

주파수

400MHz

이득

30dB

전압-테스트

5V

전류 정격 (Amps)

30mA

소음 수치

0.9dB

현재-테스트

12mA

전원-출력

-

전압-정격

6V

패키지 / 케이스

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