MRF6S19120HSR3
참조 용
| 부품 번호 | MRF6S19120HSR3 |
| PNEDA 부품 번호 | MRF6S19120HSR3 |
| 설명 | FET RF 68V 1.99GHZ NI-780S |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,200 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 15 - 6월 20 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MRF6S19120HSR3 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MRF6S19120HSR3 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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MRF6S19120HSR3 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS |
| 주파수 | 1.99GHz |
| 이득 | 15dB |
| 전압-테스트 | 28V |
| 전류 정격 (Amps) | - |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 1A |
| 전원-출력 | 19W |
| 전압-정격 | 68V |
| 패키지 / 케이스 | NI-780S |
| 공급자 장치 패키지 | NI-780S |
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 1.03GHz 이득 19.7dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 200mA 전원-출력 500W 전압-정격 110V 패키지 / 케이스 NI-780S 공급자 장치 패키지 NI-780S |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 945MHz 이득 18.8dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 350mA 전원-출력 45W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 NI-360S 공급자 장치 패키지 NI-360S |
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 N-Channel Dual Gate 주파수 400MHz 이득 30dB 전압-테스트 5V 전류 정격 (Amps) 30mA 소음 수치 0.9dB 현재-테스트 12mA 전원-출력 - 전압-정격 6V 패키지 / 케이스 SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지 CMPAK-4 |
