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MRF6S21050LR3

MRF6S21050LR3

참조 용

부품 번호 MRF6S21050LR3
PNEDA 부품 번호 MRF6S21050LR3
설명 FET RF 68V 2.16GHZ NI-400
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 8,352
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 25 - 3월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF6S21050LR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF6S21050LR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF6S21050LR3, MRF6S21050LR3 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 432.21 KB)
PDFMRF6S21050LSR5 데이터 시트 표지
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MRF6S21050LR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.16GHz
이득16dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트450mA
전원-출력11.5W
전압-정격68V
패키지 / 케이스NI-400
공급자 장치 패키지NI-400

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제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

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트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.5GHz ~ 2.7GHz

이득

16.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

28A

소음 수치

-

현재-테스트

1.3A

전원-출력

30W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

SOT502B

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.805GHz ~ 1.88GHz

이득

18dB

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

SOT-1258-7

공급자 장치 패키지

SOT-1258-7

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

920MHz ~ 960MHz

이득

19.5dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.8A

전원-출력

60W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

SOT502B

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.9GHz ~ 3.3GHz

이득

13.5dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

33A

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

150W

전압-정격

60V

패키지 / 케이스

SOT922-1

공급자 장치 패키지

CDFM2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

230MHz

이득

26.5dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

300W

전압-정격

130V

패키지 / 케이스

NI780-4

공급자 장치 패키지

NI-780-4

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