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MRF6V3090NR1

MRF6V3090NR1

참조 용

부품 번호 MRF6V3090NR1
PNEDA 부품 번호 MRF6V3090NR1
설명 FET RF 110V 860MHZ TO270-4
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 5,796
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 28 - 2월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF6V3090NR1 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF6V3090NR1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF6V3090NR1, MRF6V3090NR1 데이터 시트 (총 페이지: 20, 크기: 717.52 KB)
PDFMRF6V3090NR5 데이터 시트 표지
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MRF6V3090NR1 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수860MHz
이득22dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트350mA
전원-출력18W
전압-정격110V
패키지 / 케이스TO-270AB
공급자 장치 패키지TO-270 WB-4

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제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

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주파수

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이득

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전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.6A

전원-출력

38W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-1230

공급자 장치 패키지

NI-1230

BLF10M6LS200U

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

871.5MHz ~ 891.5MHz

이득

20dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.4A

전원-출력

40W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

SOT502B

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.8MHz ~ 250MHz

이득

21.1dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

115W

전압-정격

133V

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz ~ 2.17GHz

이득

19dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

2A

전원-출력

55W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1244C

공급자 장치 패키지

CDFM6

CGHV96050F2

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

GaN

트랜지스터 유형

HEMT

주파수

7.9GHz ~ 9.6GHz

이득

10dB

전압-테스트

40V

전류 정격 (Amps)

6A

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

70W

전압-정격

100V

패키지 / 케이스

440210

공급자 장치 패키지

440210

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