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MRF6VP3450HR5

MRF6VP3450HR5

참조 용

부품 번호 MRF6VP3450HR5
PNEDA 부품 번호 MRF6VP3450HR5
설명 FET RF 2CH 110V 860MHZ NI-1230
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 3,600
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 26 - 3월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF6VP3450HR5 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF6VP3450HR5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF6VP3450HR5, MRF6VP3450HR5 데이터 시트 (총 페이지: 18, 크기: 1,141.85 KB)
PDFMRF6VP3450HSR6 데이터 시트 표지
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MRF6VP3450HR5 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수860MHz
이득22.5dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.4A
전원-출력90W
전압-정격110V
패키지 / 케이스NI-1230
공급자 장치 패키지NI-1230

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Infineon Technologies

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이득

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28V

전류 정격 (Amps)

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소음 수치

-

현재-테스트

550mA

전원-출력

60W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

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시리즈

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LDMOS

주파수

945MHz

이득

15dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

1A

소음 수치

-

현재-테스트

70mA

전원-출력

6W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

공급자 장치 패키지

PowerSO-10RF (Straight Lead)

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.12GHz

이득

15.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

610mA

전원-출력

14W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

945MHz

이득

14.3dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

7A

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

60W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

공급자 장치 패키지

PowerSO-10RF (Straight Lead)

PTVA120121M-V1-R1K

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

*

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

500MHz ~ 1.4GHz

이득

21.64dB

전압-테스트

48V

전류 정격 (Amps)

1µA

소음 수치

-

현재-테스트

50mA

전원-출력

15.62W

전압-정격

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패키지 / 케이스

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