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MRF8P20100HR3

MRF8P20100HR3

참조 용

부품 번호 MRF8P20100HR3
PNEDA 부품 번호 MRF8P20100HR3
설명 FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780H-4
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 5,328
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF8P20100HR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF8P20100HR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF8P20100HR3, MRF8P20100HR3 데이터 시트 (총 페이지: 22, 크기: 1,275.51 KB)
PDFMRF8P20100HSR3 데이터 시트 표지
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MRF8P20100HR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수2.03GHz
이득16dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트400mA
전원-출력20W
전압-정격65V
패키지 / 케이스NI780-4
공급자 장치 패키지NI-780-4

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이득

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전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

720mA

전원-출력

130W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H-37275G-6/2

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H-37275G-6/2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

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주파수

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이득

15dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1A

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전압-정격

68V

패키지 / 케이스

SOT-957A

공급자 장치 패키지

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제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

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트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.9GHz ~ 3.4GHz

이득

12dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

4µA

소음 수치

-

현재-테스트

400mA

전원-출력

400W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

SOT502B

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.16GHz

이득

16dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

450mA

전원-출력

11.5W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

NI-400

공급자 장치 패키지

NI-400

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz ~ 2.17GHz

이득

17dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

34A

소음 수치

-

현재-테스트

1.1A

전원-출력

30W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

SOT502B

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