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MRF8S26120HSR3

MRF8S26120HSR3

참조 용

부품 번호 MRF8S26120HSR3
PNEDA 부품 번호 MRF8S26120HSR3
설명 FET RF 65V 2.69GHZ NI780S
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 3,474
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 16 - 4월 21 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF8S26120HSR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF8S26120HSR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF8S26120HSR3, MRF8S26120HSR3 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 554.03 KB)
PDFMRF8S26120HSR3 데이터 시트 표지
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MRF8S26120HSR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.69GHz
이득15.6dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트900mA
전원-출력28W
전압-정격65V
패키지 / 케이스NI-780S
공급자 장치 패키지NI-780S

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이득

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전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

360mA

전원-출력

22.5W

전압-정격

65V

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트랜지스터 유형

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주파수

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이득

21dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

2mA

전원-출력

210W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

4-HSOPF, SOT-1138

공급자 장치 패키지

4-HSOP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

894MHz

이득

19.7dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

15A

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

160W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502A

공급자 장치 패키지

LDMOST

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz ~ 2.17GHz

이득

13.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

12A

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

25W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

SOT502B

PTVA120251EA-V1

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

500MHz ~ 1.4GHz

이득

15.8dB

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

34W

전압-정격

105V

패키지 / 케이스

H-36265-2

공급자 장치 패키지

H-36265-2

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