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MRFG35010ANT1

MRFG35010ANT1

참조 용

부품 번호 MRFG35010ANT1
PNEDA 부품 번호 MRFG35010ANT1
설명 FET RF 15V 3.55GHZ PLD-1.5
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 7,812
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 5 - 2월 10 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRFG35010ANT1 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRFG35010ANT1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRFG35010ANT1, MRFG35010ANT1 데이터 시트 (총 페이지: 25, 크기: 1,128.69 KB)
PDFMRFG35010ANT1 데이터 시트 표지
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MRFG35010ANT1 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형pHEMT FET
주파수3.55GHz
이득10dB
전압-테스트12V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트130mA
전원-출력9W
전압-정격15V
패키지 / 케이스PLD-1.5
공급자 장치 패키지PLD-1.5

관심을 가질만한 제품

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

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트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

-

이득

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전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

10mA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

3V

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

TO-236AB (SOT23)

SD2932W

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

175MHz

이득

16dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

40A

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

300W

전압-정격

125V

패키지 / 케이스

M244

공급자 장치 패키지

M244

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

pHEMT FET

주파수

20GHz

이득

13.8dB

전압-테스트

2V

전류 정격 (Amps)

15mA

소음 수치

0.8dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

125mW

전압-정격

4V

패키지 / 케이스

4-Micro-X

공급자 장치 패키지

4-Micro-X

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

230MHz

이득

25dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

600W

전압-정격

130V

패키지 / 케이스

NI-1230-4S

공급자 장치 패키지

NI-1230-4S

MAGX-000035-09000P

M/A-Com Technology Solutions

제조업체

M/A-Com Technology Solutions

시리즈

-

트랜지스터 유형

HEMT

주파수

3.5GHz

이득

13dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

6mA

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

14W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

14-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

14-DFN (3x6)

최근 판매

TAJE687K006RNJ

TAJE687K006RNJ

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