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MW6S010MR1

MW6S010MR1

참조 용

부품 번호 MW6S010MR1
PNEDA 부품 번호 MW6S010MR1
설명 FET RF 68V 960MHZ TO-270-2
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 2,610
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 30 - 5월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MW6S010MR1 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MW6S010MR1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MW6S010MR1, MW6S010MR1 데이터 시트 (총 페이지: 20, 크기: 718.09 KB)
PDFMW6S010MR1 데이터 시트 표지
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MW6S010MR1 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수960MHz
이득18dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트125mA
전원-출력10W
전압-정격68V
패키지 / 케이스TO-270-2
공급자 장치 패키지TO-270-2

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제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

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2.11GHz ~ 2.17GHz

이득

18.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

700mW

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-538A

공급자 장치 패키지

2-CSMD

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.99GHz

이득

14.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

950mA

전원-출력

22W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

TO-272BB

공급자 장치 패키지

TO-272 WB-4

BLF3G21-6,112

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2GHz

이득

15.5dB

전압-테스트

26V

전류 정격 (Amps)

2.3A

소음 수치

-

현재-테스트

90mA

전원-출력

6W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-538A

공급자 장치 패키지

2-CSMD

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.805GHz ~ 1.995GHz

이득

18.9dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

1.4A

전원-출력

257W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780-2S2L

공급자 장치 패키지

NI-780-2S2L

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

957.5MHz

이득

36.1dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

15mA

전원-출력

1.5W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

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