MW6S010MR1
참조 용
| 부품 번호 | MW6S010MR1 |
| PNEDA 부품 번호 | MW6S010MR1 |
| 설명 | FET RF 68V 960MHZ TO-270-2 |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,610 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 3 - 4월 8 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MW6S010MR1 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MW6S010MR1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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MW6S010MR1 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS |
| 주파수 | 960MHz |
| 이득 | 18dB |
| 전압-테스트 | 28V |
| 전류 정격 (Amps) | - |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 125mA |
| 전원-출력 | 10W |
| 전압-정격 | 68V |
| 패키지 / 케이스 | TO-270-2 |
| 공급자 장치 패키지 | TO-270-2 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 STMicroelectronics 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 945MHz 이득 15dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) 1A 소음 수치 - 현재-테스트 70mA 전원-출력 6W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads) 공급자 장치 패키지 PowerSO-10RF (Straight Lead) |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 1.805GHz ~ 1.995GHz 이득 18.9dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) 10µA 소음 수치 - 현재-테스트 1.4A 전원-출력 257W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 NI-780-2S2L 공급자 장치 패키지 NI-780-2S2L |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 1.99GHz 이득 14.5dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 950mA 전원-출력 22W 전압-정격 68V 패키지 / 케이스 TO-272BB 공급자 장치 패키지 TO-272 WB-4 |
제조업체 Ampleon USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 2.45GHz 이득 18.5dB 전압-테스트 32V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 20mA 전원-출력 30W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 SOT-1135B 공급자 장치 패키지 SOT1135B |
