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NE3514S02-T1C-A

NE3514S02-T1C-A

참조 용

부품 번호 NE3514S02-T1C-A
PNEDA 부품 번호 NE3514S02-T1C-A
설명 HJ-FET NCH 10DB S02
제조업체 CEL
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NE3514S02-T1C-A 리소스

브랜드 CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NE3514S02-T1C-A
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
NE3514S02-T1C-A, NE3514S02-T1C-A 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 1,017.68 KB)
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NE3514S02-T1C-A 사양

제조업체CEL
시리즈-
트랜지스터 유형HFET
주파수20GHz
이득10dB
전압-테스트2V
전류 정격 (Amps)70mA
소음 수치0.75dB
현재-테스트10mA
전원-출력-
전압-정격4V
패키지 / 케이스4-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지S02

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전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

76W

전압-정격

150V

패키지 / 케이스

440224

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Infineon Technologies

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전압-테스트

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28V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

51W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

ACP-1230S-4L2S

공급자 장치 패키지

ACP-1230S-4L2S

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

460MHz

이득

20dB

전압-테스트

3V

전류 정격 (Amps)

350mA

소음 수치

-

현재-테스트

300mA

전원-출력

28dbm

전압-정격

3V

패키지 / 케이스

4-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

79A

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

2.11GHz ~ 2.2GHz

이득

16.4dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

600mA

전원-출력

328W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

ACP-1230S-4L2S

공급자 장치 패키지

ACP-1230S-4L2S

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