NTGD3148NT1G
참조 용
| 부품 번호 | NTGD3148NT1G |
| PNEDA 부품 번호 | NTGD3148NT1G |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 100,080 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 18 - 4월 23 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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NTGD3148NT1G 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | NTGD3148NT1G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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NTGD3148NT1G 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 3.8nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 300pF @ 10V |
| 전력-최대 | 900mW |
| 작동 온도 | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 공급자 장치 패키지 | 6-TSOP |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 10.1A, 12.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs 20mOhm @ 10.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 11nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 608pF @ 15V 전력-최대 1W 작동 온도 - 장착 유형 Sub-Base Mount 패키지 / 케이스 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지 Power56 |
제조업체 Advanced Linear Devices Inc. 시리즈 EPAD® FET 유형 4 N-Channel, Matched Pair FET 기능 Depletion Mode 드레인-소스 전압 (Vdss) 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 12mA, 3mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 500Ohm @ 3.6V Vgs (th) (최대) @ Id 360mV @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2.5pF @ 5V 전력-최대 500mW 작동 온도 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 16-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지 16-PDIP |
제조업체 EPC 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 16A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 230pF @ 15V, 590pF @ 15V 전력-최대 - 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 Die 공급자 장치 패키지 Die |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 31nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2250pF @ 10V 전력-최대 900mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
