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NX7002AKS,115

NX7002AKS,115

참조 용

부품 번호 NX7002AKS,115
PNEDA 부품 번호 NX7002AKS-115
설명 MOSFET 2N-CH 60V 0.17A SC-88
제조업체 Nexperia
단가 견적 요청
재고 있음 86,952
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 25 - 3월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NX7002AKS 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NX7002AKS,115
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
NX7002AKS, NX7002AKS 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 1,457.06 KB)
PDFNX7002AKS/ZLX 데이터 시트 표지
NX7002AKS/ZLX 데이터 시트 페이지 2 NX7002AKS/ZLX 데이터 시트 페이지 3 NX7002AKS/ZLX 데이터 시트 페이지 4 NX7002AKS/ZLX 데이터 시트 페이지 5 NX7002AKS/ZLX 데이터 시트 페이지 6 NX7002AKS/ZLX 데이터 시트 페이지 7 NX7002AKS/ZLX 데이터 시트 페이지 8 NX7002AKS/ZLX 데이터 시트 페이지 9 NX7002AKS/ZLX 데이터 시트 페이지 10 NX7002AKS/ZLX 데이터 시트 페이지 11

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NX7002AKS 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)170mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs4.5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs0.43nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds17pF @ 10V
전력-최대220mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지6-TSSOP

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

26mOhm @ 8.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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FET 유형

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FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A, 40A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.4mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

26nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1208pF @ 15V

전력-최대

22.7W, 100W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN

공급자 장치 패키지

8-PowerPair® (6x5)

FDSS2407

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ON Semiconductor

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

62V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

110mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.3nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

300pF @ 15V

전력-최대

2.27W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

8-SOIC

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

47mOhm @ 6.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

21nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® 1212-8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® 1212-8 Dual

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

510mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2Ohm @ 510mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

20pF @ 25V

전력-최대

700mW

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