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PD57006TR-E

PD57006TR-E

참조 용

부품 번호 PD57006TR-E
PNEDA 부품 번호 PD57006TR-E
설명 TRANSISTOR RF POWERSO-10
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 6,354
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 7 - 2월 12 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PD57006TR-E 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PD57006TR-E
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
PD57006TR-E, PD57006TR-E 데이터 시트 (총 페이지: 22, 크기: 545.19 KB)
PDFPD57006TR-E 데이터 시트 표지
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PD57006TR-E 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수945MHz
이득15dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)1A
소음 수치-
현재-테스트70mA
전원-출력6W
전압-정격65V
패키지 / 케이스PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
공급자 장치 패키지PowerSO-10RF (Formed Lead)

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28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

10W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-360S

공급자 장치 패키지

NI-360S

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

860MHz

이득

19.3dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.4A

전원-출력

125W

전압-정격

130V

패키지 / 케이스

NI-1230

공급자 장치 패키지

NI-1230

VRF161

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

30MHz

이득

24dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

20A

소음 수치

-

현재-테스트

250mA

전원-출력

200W

전압-정격

170V

패키지 / 케이스

M174

공급자 장치 패키지

M174

CE3521M4

CEL

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

pHEMT FET

주파수

20GHz

이득

11.9dB

전압-테스트

2V

전류 정격 (Amps)

15mA

소음 수치

1.05dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

125mW

전압-정격

4V

패키지 / 케이스

SC-82A, SOT-343

공급자 장치 패키지

4-Super Mini Mold

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

2.32GHz

이득

14.1dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

600mA

전원-출력

30W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780-4

공급자 장치 패키지

NI-780-4

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