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PMBFJ310,215

PMBFJ310,215

참조 용

부품 번호 PMBFJ310,215
PNEDA 부품 번호 PMBFJ310-215
설명 JFET N-CH 25V 250MW SOT23
제조업체 NXP
단가
1 ---------- $0.9416
500 ---------- $0.8974
1,000 ---------- $0.8533
2,500 ---------- $0.8092
5,000 ---------- $0.7724
10,000 ---------- $0.7356
재고 있음 2,058
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PMBFJ310 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PMBFJ310,215
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET
데이터 시트
PMBFJ310, PMBFJ310 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 120.67 KB)
PDFPMBFJ310 데이터 시트 표지
PMBFJ310 데이터 시트 페이지 2 PMBFJ310 데이터 시트 페이지 3 PMBFJ310 데이터 시트 페이지 4 PMBFJ310 데이터 시트 페이지 5 PMBFJ310 데이터 시트 페이지 6 PMBFJ310 데이터 시트 페이지 7 PMBFJ310 데이터 시트 페이지 8 PMBFJ310 데이터 시트 페이지 9 PMBFJ310 데이터 시트 페이지 10 PMBFJ310 데이터 시트 페이지 11

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PMBFJ310 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
FET 유형N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)25V
드레인-소스 전압 (Vdss)25V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)24mA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대-
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id2V @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds5pF @ 10V
저항-RDS (켜짐)50 Ohms
전력-최대250mW
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23 (TO-236AB)

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제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

40V

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

25mA @ 20V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

2V @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14pF @ 20V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

250mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23 (TO-236AB)

FJX597JHTF

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

20V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

150µA @ 5V

전류 드레인 (Id)-최대

1mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

600mV @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3.5pF @ 5V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

100mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SC-70 (SOT323)

2SK06620RL

Panasonic Electronic Components

제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

500µA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

20mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

100mV @ 10µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

150mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SMini3-G1

2N5457

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

25V

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

500mV @ 10nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7pF @ 15V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

310mW

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92

SST5485-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

25V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

4mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

500mV @ 10nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5pF @ 15V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

350mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23

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