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PN4302

PN4302

참조 용

부품 번호 PN4302
PNEDA 부품 번호 PN4302
설명 JFET N-CH 30V 625MW TO92
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,370
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PN4302 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PN4302
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET
데이터 시트
PN4302, PN4302 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 27.29 KB)
PDFPN4302 데이터 시트 표지
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PN4302 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)30V
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)500µA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대-
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id4V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
저항-RDS (켜짐)-
전력-최대625mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지TO-92-3

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-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

40V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

80µA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

1V @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

350mW

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23

TF256-5-TL-H

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

240µA @ 2V

전류 드레인 (Id)-최대

1mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

100mV @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3.1pF @ 2V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

30mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-1123

공급자 장치 패키지

3-USFP

2N4339-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

50V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

500µA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

600mV @ 100nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7pF @ 15V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

300mW

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-206AA (TO-18)

EC3A03B-TL-H

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

50µA @ 20V

전류 드레인 (Id)-최대

1mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

1.5V @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1.7pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

100mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

3-XFDFN

공급자 장치 패키지

3-ECSP1006

NSVJ5908DSG5T1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

전압-항복 (V (BR) GSS)

15V

드레인-소스 전압 (Vdss)

15V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

10mA @ 5V

전류 드레인 (Id)-최대

50mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

300mV @ 100µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10.5pF @ 5V (Typ)

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

300mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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