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PTAB182002TCV2R250XTMA1

PTAB182002TCV2R250XTMA1

참조 용

부품 번호 PTAB182002TCV2R250XTMA1
PNEDA 부품 번호 PTAB182002TCV2R250XTMA1
설명 IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 6,030
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 30 - 5월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PTAB182002TCV2R250XTMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PTAB182002TCV2R250XTMA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
PTAB182002TCV2R250XTMA1, PTAB182002TCV2R250XTMA1 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 172.41 KB)
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PTAB182002TCV2R250XTMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.805GHz ~ 1.88GHz
이득14.8dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)10µA
소음 수치-
현재-테스트520mA
전원-출력29W
전압-정격65V
패키지 / 케이스H-49248H-4
공급자 장치 패키지H-49248H-4

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전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.4A

전원-출력

58W

전압-정격

66V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

NI-880

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Cree/Wolfspeed

시리즈

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주파수

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이득

15dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

15W

전압-정격

84V

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

QPD1008L

RFMD

제조업체

RFMD

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

PTFA220121M-V4

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.14GHz

이득

16.2dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

9.3W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

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