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RSH070P05TB1

RSH070P05TB1

참조 용

부품 번호 RSH070P05TB1
PNEDA 부품 번호 RSH070P05TB1
설명 MOSFET P-CH 45V 7A SOP8
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 7 - 2월 12 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

RSH070P05TB1 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RSH070P05TB1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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  • RSH070P05TB1 Distributor

RSH070P05TB1 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)45V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs27mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs47.6nC @ 5V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds4100pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)2W (Ta)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지8-SOP
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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시리즈

*

FET 유형

-

기술

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

공급자 장치 패키지

-

패키지 / 케이스

-

TPCA8056-H,LQ(M

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

U-MOSVII-H

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

48A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.2mOhm @ 24A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

74nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6200pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.6W (Ta), 63W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SOP Advance (5x5)

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

IRFPS37N50A

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

36A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

130mOhm @ 22A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

180nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5579pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

446W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

SUPER-247™ (TO-274AA)

패키지 / 케이스

TO-274AA

IRFU540ZPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

35A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28.5mOhm @ 21A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 50µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

59nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1690pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

91W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

IPAK (TO-251)

패키지 / 케이스

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DMTH6004LPSQ-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.1mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

47.4nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4515pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.6W (Ta), 138W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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NTS0104BQ,115

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