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S25FL064LABMFA010

S25FL064LABMFA010

참조 용

부품 번호 S25FL064LABMFA010
PNEDA 부품 번호 S25FL064LABMFA010
설명 IC FLASH 64M SPI 108MHZ 8SOIC
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,840
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예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

S25FL064LABMFA010 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호S25FL064LABMFA010
분류반도체메모리 IC기억

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  • S25FL064LABMFA010 Distributor

S25FL064LABMFA010 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈Automotive, AEC-Q100, FL-L
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NOR
메모리 크기64Mb (8M x 8)
메모리 인터페이스SPI - Quad I/O, QPI
시계 주파수108MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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제조업체

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메모리 유형

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FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (16M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5µs, 3ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

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제조업체

AKM Semiconductor Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

10MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.6V ~ 4.5V

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-UFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-USON

AT28C64-25JI

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

1ms

접근 시간

250ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

32-PLCC (13.97x11.43)

W966D6HBGX7I

Winbond Electronics

제조업체

Winbond Electronics

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

PSRAM

기술

PSRAM (Pseudo SRAM)

메모리 크기

64Mb (4M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

70ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-VFBGA

공급자 장치 패키지

54-VFBGA (6x8)

AS4C4M16S-7TCN

Alliance Memory, Inc.

제조업체

Alliance Memory, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

64Mb (4M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

143MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

2ns

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

54-TSOP II

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