SE80PWB-M3/I
참조 용
| 부품 번호 | SE80PWB-M3/I |
| PNEDA 부품 번호 | SE80PWB-M3-I |
| 설명 | DIODE GEN PURP 100V 8A SLIMDPAK |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,592 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 4 - 4월 9 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SE80PWB-M3/I 리소스
| 브랜드 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SE80PWB-M3/I |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
| 데이터 시트 |
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SE80PWB-M3/I 사양
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 시리즈 | eSMP® |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 100V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 8A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.12V @ 8A |
| 속도 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 2.4µs |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 15µA @ 100V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | 58pF @ 4V, 1MHz |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 공급자 장치 패키지 | SlimDPAK |
| 작동 온도-접합 | -40°C ~ 175°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형 Avalanche 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1600V 전류-평균 정류 (Io) 1.5A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.15V @ 1.5A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 4µs 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 1600V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-214AC, SMA 공급자 장치 패키지 DO-214AC (SMA) 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 8A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 2.1V @ 8A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 35ns 전류-역방향 누설 @ Vr 100µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-2 공급자 장치 패키지 TO-220-2 작동 온도-접합 -65°C ~ 175°C |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 150V 전류-평균 정류 (Io) 5A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 920mV @ 5A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 8µA @ 150V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-201AA, DO-27, Axial 공급자 장치 패키지 DO-27 작동 온도-접합 175°C (Max) |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 50V 전류-평균 정류 (Io) 500mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 700mV @ 500mA 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 500µA @ 50V 커패시턴스 @ Vr, F 80pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AL, DO-41, Axial 공급자 장치 패키지 DO-204AL (DO-41) 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Silicon Carbide Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1200V 전류-평균 정류 (Io) 5A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.8V @ 2A 속도 No Recovery Time > 500mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 0ns 전류-역방향 누설 @ Vr 50µA @ 1200V 커패시턴스 @ Vr, F 260pF @ 1V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지 TO-252 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
