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SI7288DP-T1-GE3

SI7288DP-T1-GE3

참조 용

부품 번호 SI7288DP-T1-GE3
PNEDA 부품 번호 SI7288DP-T1-GE3
설명 MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO-8
제조업체 Vishay Siliconix
단가 견적 요청
재고 있음 40,292
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SI7288DP-T1-GE3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI7288DP-T1-GE3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SI7288DP-T1-GE3, SI7288DP-T1-GE3 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 323.91 KB)
PDFSI7288DP-T1-GE3 데이터 시트 표지
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  • SI7288DP-T1-GE3 Distributor

SI7288DP-T1-GE3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET®
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)20A
Rds On (최대) @ Id, Vgs19mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs15nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds565pF @ 20V
전력-최대15.6W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지PowerPAK® SO-8 Dual

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel Complementary

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.2A (Ta), 4.7A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 4.5A, 10V, 60mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250mA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

770pF @ 40V, 1000pF @ 20V

전력-최대

2.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

TT8M3TR

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate, 1.5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.5A, 2.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

72mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.6nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

260pF @ 10V

전력-최대

1W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

8-TSST

DMP2066LSD-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

40mOhm @ 4.6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.1nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

820pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

AO8804

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17.9nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1810pF @ 10V

전력-최대

1.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

SQJ914EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

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FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

12mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1110pF @ 15V

전력-최대

27W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8 Dual

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