SPP11N60S5HKSA1
참조 용
| 부품 번호 | SPP11N60S5HKSA1 |
| PNEDA 부품 번호 | SPP11N60S5HKSA1 |
| 설명 | MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,624 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 29 - 5월 4 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SPP11N60S5HKSA1 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SPP11N60S5HKSA1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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- SPP11N60S5HKSA1 Distributor
SPP11N60S5HKSA1 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | CoolMOS™ |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 650V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 11A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 7A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 5.5V @ 500µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 54nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1460pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 125W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 14A (Ta), 28A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 22nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1350pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.5W (Ta), 27W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-PQFN (5x6) 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 100mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs 10.4Ohm @ 50mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1.43nC @ 10V Vgs (최대) ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7.5pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 250mW (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 3-CP 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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