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STGB30V60DF

STGB30V60DF

참조 용

부품 번호 STGB30V60DF
PNEDA 부품 번호 STGB30V60DF
설명 IGBT 600V 60A 258W D2PAK
제조업체 STMicroelectronics
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STGB30V60DF 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STGB30V60DF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
STGB30V60DF, STGB30V60DF 데이터 시트 (총 페이지: 22, 크기: 1,911.95 KB)
PDFSTGW30V60DF 데이터 시트 표지
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STGB30V60DF 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)60A
전류-수집기 펄스 (Icm)120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 30A
전력-최대258W
에너지 전환383µJ (on), 233µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지163nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C45ns/189ns
테스트 조건400V, 30A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)53ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지D2PAK

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제조업체

STMicroelectronics

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

345V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.7V @ 4.5V, 15A

전력-최대

176W

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

49nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

1.1µs/26.5µs

테스트 조건

300V, 15A, 5V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

공급자 장치 패키지

I2PAK (TO-262)

APT25GR120BD15

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 25A

전력-최대

521W

에너지 전환

742µJ (on), 427µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

203nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

16ns/122ns

테스트 조건

600V, 25A, 4.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 10A

전력-최대

85W

에너지 전환

1.1mJ (on), 1.1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

27nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

600V, 10A, 100Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

350ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

제조업체

IXYS

시리즈

Polar™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

330V

전류-수집기 (Ic) (최대)

85A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 100A

전력-최대

150W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

80nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

250ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

제조업체

IXYS

시리즈

GenX4™, XPT™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

370A

전류-수집기 펄스 (Icm)

1000A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 160A

전력-최대

1150W

에너지 전환

4.4mJ (on), 2.2mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

553nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

62ns/245ns

테스트 조건

400V, 100A, 1Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

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RB496EATR

RB496EATR

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VUB72-12NOXT

VUB72-12NOXT

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